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IXFK210N17T
IXFX210N17T
240
Fig. 7. Input Admittance
240
Fig. 8. Transconductance
220
200
180
160
220
200
180
160
T J = - 40oC
25oC
140
T J = 150oC
140
120
100
80
60
40
20
0
25oC
- 40oC
120
100
80
60
40
20
0
150oC
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
350
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
300
9
8
V DS = 85V
I D = 105A
I G = 10mA
250
200
150
7
6
5
4
100
T J = 150oC
T J = 25oC
3
2
50
1
0
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
25
50
75
100
125 150
175
200 225
250 275
300
100,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1,000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
Ciss
25μs
10,000
Coss
100
100μs
1,000
100
Crss
10
1
T J = 175oC
T C = 25oC
Single Pulse
1ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
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